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SUM110N06-3m9H
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
1.7
V G S = 10 V
I D = 3 0 A
100
1.4
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.1
0. 8
0.5
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0. 3
0.6
0.9
1.2
1000
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
74
72
V S D - S o u rce-to-Dr a in Volt a ge (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
70
I D = 10 mA
I AV (A) a t T A = 25 °C
6 8
10
66
1
0.1
I AV (A) at T A = 150 °C
64
62
60
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in ( S ec)
Avalanche Current vs. Time
T J - J u nction Temper a t u re (°C)
Drain Source Breakdown
vs. Junction Temperature
Document Number: 73236
S-70534-Rev. C, 26-Mar-07
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